KIA50N03BD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高...KIA50N03BD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高密度电池设计，具有超低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，完全表...
因为注入方向和晶圆有一定倾角后，注入离子与晶圆内部的原子碰撞概率提高，而抑...因为注入方向和晶圆有一定倾角后，注入离子与晶圆内部的原子碰撞概率提高，而抑制了隧道效应的产生。 为什么一定是7°倾角呢？如果倾角过大，带胶注入时，离子被...
对于短沟道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距离太近，导致Channel的能带...对于短沟道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距离太近，导致Channel的能带被向下拉，因此导致了处于Cut-Off状态下的器件leakage会增大（因为沟道的势垒降低了...
锂电池保护板专用MOS管KNG3703A漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽...锂电池保护板专用MOS管KNG3703A漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高密度电池设计，具有超低导通电阻RDS(开启) 7.5mΩ，低栅极电荷，最大限...
二极管 D1 工作在正向偏置状态，这反过来又给电容器 C2 充电，直到达到输入电源...二极管 D1 工作在正向偏置状态，这反过来又给电容器 C2 充电，直到达到输入电源电压的峰值，此时电容器 C2 就像串联在电源上的电池一样旋转。在相同的时间段内，由...
电源采用PM4020A驱动模块设计，具体的器件和变压器可参考电路图。注意设计时候...电源采用PM4020A驱动模块设计，具体的器件和变压器可参考电路图。注意设计时候应该考虑 PM4020A驱动模块应和四个IRFP460尽量靠近。
