2n65场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制...2n65场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉...
电源是交流220伏，经过变压器变为交流127伏，再经过整流电路变为直流110伏。三...电源是交流220伏，经过变压器变为交流127伏，再经过整流电路变为直流110伏。三个按钮开关控制三个速度，当按下SB2的时候，接触器KM1自锁，这时候等于电机串了R1R2...
NMOS（N沟道MOSFET）：其主要载流子是电子（负电荷）。导通时，电子从源极流向...NMOS（N沟道MOSFET）：其主要载流子是电子（负电荷）。导通时，电子从源极流向漏极，但根据电路理论中电流方向定义为正电荷流动方向，因此电流方向与电子流动方向...
KIA2N60HF场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，专为高压、高速的功率开关应...KIA2N60HF场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，专为高压、高速的功率开关应用而设计，低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型...
图为同相加法电路，可以根据“虚断”、“虚短”和戴维宁定理进行计算， 输出公...图为同相加法电路，可以根据“虚断”、“虚短”和戴维宁定理进行计算， 输出公式为：UO=(1+Rf/R1)[U1×Ri2// Ri3/( Ri1+ Ri2// Ri3)+ U1×Ri1// Ri3/( Ri2+ Ri1/...
防浪涌抑制电路的原理是利用场效应管的电流放大特性，控制输入电流从0逐渐增加...防浪涌抑制电路的原理是利用场效应管的电流放大特性，控制输入电流从0逐渐增加，缓慢的为输出侧电容充电，直至场效应管完全导通，从而避免由于输出侧电容的瞬间短...
