静态工作点（Quiescent Point，简称Q点）是指在放大电路中没有输入信号时，晶体...静态工作点（Quiescent Point，简称Q点）是指在放大电路中没有输入信号时，晶体管的基极电流（Ib）、集电极电流（Ic或Ie）、管压降（Ube）和集电极-发射极电压（U...
KIA840SD场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最...KIA840SD场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低电阻、低栅极电荷，在开关过程中能够快速响应并...
RC滤波器截止频率计算公式： fc = 1 / 2πRC 释义：截止频率是指输出信号幅值...RC滤波器截止频率计算公式： fc = 1 / 2πRC 释义：截止频率是指输出信号幅值的衰减比例为1/√2的频率。在RC电路中，该公式用于计算截止频率，其中fc表示截止频...
最大占空比θonmax：θonmax=(Vo*Np/Ns)/[Vp+(Vo*Np/Ns)] 临界电感Lpo：如果为...最大占空比θonmax：θonmax=(Vo*Np/Ns)/[Vp+(Vo*Np/Ns)] 临界电感Lpo：如果为PWM式：Lpo=η*θonmax2*Vp2/(2*f*Po)，如果为自激式：Lpo=Lp。
KCY3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，采用KIA的LVMOS工艺技术生产...KCY3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，采用KIA的LVMOS工艺技术生产，低导通电阻RDS(on)=8.5mΩ，改进的工艺和电池结构经过特别定制，最大限度地降低导...
如图电源端（高压侧）的两个N沟道功率MOSFET的充电和放电是一种常见的PCM方案，...如图电源端（高压侧）的两个N沟道功率MOSFET的充电和放电是一种常见的PCM方案，其漏极背靠背连接。 Q1是用于电池放电的功率MOSFET，Q2是用于电池充电的功率MOSFET...
