MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。计算...MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。计算公式为：Pd = (Tcmax - Tc) / Rth(ch-c)，其中Tcmax是允许的最大温度，Tc是MOS管的...
V(BR)DSS漏源破坏电压 V(BR)DSS（有时候叫做VBDSS）指在特定的温度和栅源短接...V(BR)DSS漏源破坏电压 V(BR)DSS（有时候叫做VBDSS）指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿...
截止区：当满足Ugs＜Ugs(th)，MOS管进入截止区。 截止区在输出特性最下面靠近...截止区：当满足Ugs＜Ugs(th)，MOS管进入截止区。 截止区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。截止区也叫夹断区，在该区时沟道全...
可控硅是一种双向可导通的半导体开关，可以通过控制其触发角来调节电流的大小，...可控硅是一种双向可导通的半导体开关，可以通过控制其触发角来调节电流的大小，在可控硅调光中，通过改变可控硅的触发角，控制电路的导通时间，从而达到调节灯光亮...
三极管是电流驱动的，即通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流；MOS...三极管是电流驱动的，即通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流；MOS管是电压驱动的，通过控制栅极和源极之间的电压来控制漏极电流。
TTL是一种集成电路，通过使用双极性晶体管组合来做到具有驱动能力的逻辑输出。...TTL是一种集成电路，通过使用双极性晶体管组合来做到具有驱动能力的逻辑输出。TTL门电路由多个输入端和一个输出端组成。当输入端接收到电信号时，它会根据某种逻辑...
