单相全桥逆变电路也称为‘H桥’电路，由四个功率开关管及其驱动辅助电路构成，...单相全桥逆变电路也称为‘H桥’电路，由四个功率开关管及其驱动辅助电路构成，工作时Q1与Q4通断互补、Q2与Q3通断互补。当Q1、Q3闭合，Q2、Q4断开时，负载电压Uo为...
此电路可以应用于很宽的电压范围（4.5V~40V，最大19A的电流），R5为可选，当输...此电路可以应用于很宽的电压范围（4.5V~40V，最大19A的电流），R5为可选，当输入电压小于20V时可短接；输入电压大于20V时建议接上，R5的取值应满足与R1的分压使MO...
1、上电后Q2 基极为低电平，导致截止，所以Q1 G极为高电平而截止； 2、当按下...1、上电后Q2 基极为低电平，导致截止，所以Q1 G极为高电平而截止； 2、当按下SW开关时，因C1充满电，此时由C1向Q2放电，导致Q2导通，Q1 G极变为低电平导通，R3构...
假使在这里没有电阻起到偏置电压的作用，那么 MOSFET 的源极电压会因为随着负载...假使在这里没有电阻起到偏置电压的作用，那么 MOSFET 的源极电压会因为随着负载电流的变化而变化，导致门源电压出现变化，从而影响 MOSFET 工作状态。
b772集电极基极电压-40V，集电极-发射极电压-30V，发射极-基极电压-6V，最小放...b772集电极基极电压-40V，集电极-发射极电压-30V，发射极-基极电压-6V，最小放大倍数60，最大放大倍数400，耗散功率500mW。采用SOT-89封装，封装小巧、热性能好、...
C1、C2是差模电容器，一般称为X电容，电容容量很多时候选择在0.01μF到0.47μF...C1、C2是差模电容器，一般称为X电容，电容容量很多时候选择在0.01μF到0.47μF之间；Y1和Y2是共模电容，一般称为Y电容，电容量不宜过大，一般在几十纳法左右，选的...
