当pn结反向偏置时，耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带...当pn结反向偏置时，耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此，由于量子隧穿效应，电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击...
输出类型：固定 最大输入电压：24V 输出电流：100mA 输出电压（最小值/固定值）...输出类型：固定 最大输入电压：24V 输出电流：100mA 输出电压（最小值/固定值）：5V
一般的锂电池保护板由控制IC、MOS管、电阻电容、保险丝FUSE等组成。其中控制IC...一般的锂电池保护板由控制IC、MOS管、电阻电容、保险丝FUSE等组成。其中控制IC，在一切正常的情况下控制MOS开关导通，使电芯与外电路沟通，而当电芯电压或回路电流...
反向击穿（Reverse Bias Breakdown）：当在MOS管的栅极和源/漏极之间施加反向电...反向击穿（Reverse Bias Breakdown）：当在MOS管的栅极和源/漏极之间施加反向电压时，电场强度可能足够大，使氧化层内的电子能够穿越氧化层，形成导通通道，导致漏...
CMOS电平是在CMOS逻辑电路中用来表示逻辑状态的一种电压水平。CMOS电路利用NMO...CMOS电平是在CMOS逻辑电路中用来表示逻辑状态的一种电压水平。CMOS电路利用NMOS和PMOS这两种互补类型的半导体材料来实现逻辑功能。1逻辑电平电压接近于电源电压，...
X电容是跨接在电力线两线之间，即“L-N”之间，X电容器能够抑制差模干扰，通常...X电容是跨接在电力线两线之间，即“L-N”之间，X电容器能够抑制差模干扰，通常采取金属化薄膜电容器，电容容量是uF级。X电容多数是方型，也就是类似于盒子的形状，...
