如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS...如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
TL431是具有三个端子的可调并联稳压器。它的输出电压用两个电阻就可以设置从Vr...TL431是具有三个端子的可调并联稳压器。它的输出电压用两个电阻就可以设置从Vref（2.5V）到36V范围内的任何值。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω，在很多应用中用它代...
双电层电容器（英语：Electrostatic double-layer capacitor）也称为电双层电容...双电层电容器（英语：Electrostatic double-layer capacitor）也称为电双层电容器，或超级电容器；一种相对传统电容器而言具有更高容量的一种电容器。是介于电容器...
2305场效应管参数漏源击穿电压-20V，漏极电流为-3.5A；极低RDS（on）的高密度单...2305场效应管参数漏源击穿电压-20V，漏极电流为-3.5A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。2305场效应管应用于LED感应灯、玩...
TL494开关电源芯片集成了在单个芯片上构建脉冲宽度调制(PWM)控制电路所需的所有...TL494开关电源芯片集成了在单个芯片上构建脉冲宽度调制(PWM)控制电路所需的所有功能。该器件主要设计用于电源控制，可灵活地为特定应用定制电源控制电路。
封装的选择：受功率影响较大，一般情况下是根据电流参数来决定封装的选取。如果...封装的选择：受功率影响较大，一般情况下是根据电流参数来决定封装的选取。如果几个封装都满足功率和发热要求，那么再根据产品的结构合理选择封装尺寸。 从成本和...
