通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是电流而是电...通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是电流而是电压，这正是由于推挽变换器漏感所致。这就迫使设计师不得不降低变压器漏感，选用更高...
配置PWM互补输出的死区时间，本质上就是在配置TIM1高级控制定时器的刹车和死区...配置PWM互补输出的死区时间，本质上就是在配置TIM1高级控制定时器的刹车和死区寄存器（TIMx_BDTR）中的DTG[7:0]（死区发生器设置）部分。
相对于PWM来说，死区时间是在PWM输出的这个时间，上下管都不会有输出，当然会使...相对于PWM来说，死区时间是在PWM输出的这个时间，上下管都不会有输出，当然会使波形输出中断，死区时间一般只占百分之几的周期。但是当PWM波本身占空比小时，空出...
上图所示，正常情况下或者说理想情况下，我们希望电源逐渐上升直到建立稳定的电...上图所示，正常情况下或者说理想情况下，我们希望电源逐渐上升直到建立稳定的电源域；但是实际上在某些情况下出现灰色框图中的问题，电源电压突然下降然后再次上升...
这种非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用MDmesh设计的™ K5技术基于创新的专有垂...这种非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用MDmesh设计的™ K5技术基于创新的专有垂直结构。其结果是，对于需要高功率密度和高效率的应用，导通电阻和超低栅极电荷显著...
在电源芯片内部，不管是DCDC芯片，还是LDO芯片，都是通过电阻分压来获取反馈。...在电源芯片内部，不管是DCDC芯片，还是LDO芯片，都是通过电阻分压来获取反馈。当输出上面的电容并联的容值太大，由于电容上电瞬间需要充电，相当于对地短路，大部...
