一个具有理想电压源的原理图如图2所示。在这个示例中，驱动器IC的供电电压等于...一个具有理想电压源的原理图如图2所示。在这个示例中，驱动器IC的供电电压等于V1、V2之和，而MOSFET的栅极驱动电压为导通状态下的+V1和关断状态下的–V2（相对于M...
在开关期间，晶体管会处于同时施加了高电压和高电流的状态。根据欧姆定律，这将...在开关期间，晶体管会处于同时施加了高电压和高电流的状态。根据欧姆定律，这将导致一定的损耗，具体取决于这些状态的持续时间（参见图2）。目标是要较大程度地减...
MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上的固态半导体器件，且都属于电压控制器件。另外...MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上的固态半导体器件，且都属于电压控制器件。另外，IGBT和MOSFET在栅极和其他端子之间都有绝缘，两种器件全部具有较高的输入阻抗。在...
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结...MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一...
IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成非线性电容器。对栅极电容充电会使功率器件...IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成非线性电容器。对栅极电容充电会使功率器件导通并允许电流在其漏极和源极端子之间流动，而放电时，它会关闭器件，然后可能会在...
在反激电路中，一旦 MOSFET 管关断，变压器就会将原边的能量传输到副边，但漏感...在反激电路中，一旦 MOSFET 管关断，变压器就会将原边的能量传输到副边，但漏感能量却无法被转移，这会导致电路中的杂散电容产生振铃。漏感是产生振铃的根本原因，...
