运放的输入共模电容 Ccm 和差模电容 Cdiff 会形成运放的输入电容 Cin。在许多应...运放的输入共模电容 Ccm 和差模电容 Cdiff 会形成运放的输入电容 Cin。在许多应用中，运算放大器的输入电容都不会造成问题。但在某些应用中会引起放大电路的不稳定...
KIA65R700超结场效应管650V7A，减少传导损耗，提供卓越的开关性能优异，可在雪...KIA65R700超结场效应管650V7A，减少传导损耗，提供卓越的开关性能优异，可在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合于交流/直流功率转换的开关模式操作，...
（1）由于 VBAT 端要提供负载的工作电流，因此，要求 PMOS 管的导通内阻比 NMO...（1）由于 VBAT 端要提供负载的工作电流，因此，要求 PMOS 管的导通内阻比 NMOS 管要更小。一般来说，导通内阻越小，其 Gate 端的结电容就越大，所以 PMOS 管的开...
基于MOS管的防反接电路，如NMOS管串入GND管脚的防反接电路。相比于以往的防反接...基于MOS管的防反接电路，如NMOS管串入GND管脚的防反接电路。相比于以往的防反接电路，MOS管类型的防反接保护电路，具有低功耗和压降小的优点。
这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特...这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承...
输入低频纹波 (1) 增加输出低频滤波的电感、电容容量及数量输入低频纹波 (1) 增加输出低频滤波的电感、电容容量及数量
