MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影...MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。
对MOSFET的栅极进行充电和放电需要同样的能量，无论充放电过程快或慢（栅极电压...对MOSFET的栅极进行充电和放电需要同样的能量，无论充放电过程快或慢（栅极电压的上升和下降）。因此，MOSFET驱动器的电流驱动能力并不影响由MOSFET栅极的容性负载...
使用MOSFET驱动器时可以采用许多不同的电路配置。很多时候，由于高的峰值电流、...使用MOSFET驱动器时可以采用许多不同的电路配置。很多时候，由于高的峰值电流、驱动电压快的上升 / 下降时间以及电路板上长走线引起的电感，需要考虑额外的钳位电...
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。
锂电池主要由两大块构成，电芯和保护板PCM（动力电池一般称为电池管理系统BMS）...锂电池主要由两大块构成，电芯和保护板PCM（动力电池一般称为电池管理系统BMS），电芯相当于锂电池的心脏，管理系统相当于锂电池的大脑。电芯主要由正极材料、负极...
首先根据波形的振荡频率来计算电路中总的寄生电容值 ( C)和寄生电感值 ( L) ，...首先根据波形的振荡频率来计算电路中总的寄生电容值 ( C)和寄生电感值 ( L) ，然后再计算出 RC吸收电路的电阻值 ( RSN) 和电容值 ( CSN) ，RC吸收电路原理如图
