TJ：芯片结温（Die junction temperature, °C） TC：芯片封装表面温度（Pack...TJ：芯片结温（Die junction temperature, °C） TC：芯片封装表面温度（Package case temperature, °C） TB：放置芯片的PCB板温度（Board temperature adjace...
开关电源关键元件的各个参数中英文对照表开关电源关键元件的各个参数中英文对照表
一种方法直接看工艺库参数，但是现在的工艺库是基于BSIM，参数超级多，有考虑到...一种方法直接看工艺库参数，但是现在的工艺库是基于BSIM，参数超级多，有考虑到很多二级效应。如果直接用工艺库的参数vth0，UnCox来计算的话，会发现计算的值和仿...
1.作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电，防止mos管产生误动作，甚至击穿mos管（因...1.作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电，防止mos管产生误动作，甚至击穿mos管（因为只要有少量的静电便会使mos管的G-S极间的等效电容产生很高的电压），起到了保护mo...
MOS管栅极与源极加电阻作用 1、为MOSFET提供一个供电，经过电阻分压从而得到分...MOS管栅极与源极加电阻作用 1、为MOSFET提供一个供电，经过电阻分压从而得到分压值，也即所谓的提供一个偏置电压；
该应用指南中由 Eq.6 得到了门极电流 i(t)i(t) 不振荡的阻尼条件 Eq.7，并以此...该应用指南中由 Eq.6 得到了门极电流 i(t)i(t) 不振荡的阻尼条件 Eq.7，并以此得出了电流波形不振荡的最小门极电阻的计算公式。
