短路故障是导致SiC MOSFET失效的重要原因之一，尽管SiC MOSFET具有较好的导热性...短路故障是导致SiC MOSFET失效的重要原因之一，尽管SiC MOSFET具有较好的导热性能，但与Si器件和SiC MOSFET的短路性能相比，SiC MOSFET的短路保护在以下几个方面更...
输入浪涌电流：通常在开关电源启动时，可能需要输入端的主电网提供短时间的大电...输入浪涌电流：通常在开关电源启动时，可能需要输入端的主电网提供短时间的大电流脉冲，这种电流脉冲通常被称为输入浪涌电流。
正向接：VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接...正向接：VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成；沟道电阻很小，将MOS体二极管短路
利用比较器并结合外围电路，设计出一种可以自动探测USB电源输出线是否发了对12...利用比较器并结合外围电路，设计出一种可以自动探测USB电源输出线是否发了对12V电源或地短路，并且可以在短路故障发生时自动切断电源供应的保护电路。
SM和RM两管互补导通，SM导通时电源给电感充电，SM电流i1线性上升；当RM导通时，...SM和RM两管互补导通，SM导通时电源给电感充电，SM电流i1线性上升；当RM导通时，i1变为0，电感给负载放电，RM电流i2线性下降，具体波形如下图所示。
防浪涌抑制电路的基本原理是利用场效应管的电流放大特性，控制输入电流从0逐渐...防浪涌抑制电路的基本原理是利用场效应管的电流放大特性，控制输入电流从0逐渐增加，缓慢的为输出侧电容充电，直至场效应管完全导通，从而避免由于输出侧电容的瞬...
