运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温...运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂...
此问题一般情况是在硬开关，因有米勒效应，弥勒效应时可确定开关是硬开关，看上...此问题一般情况是在硬开关，因有米勒效应，弥勒效应时可确定开关是硬开关，看上图MOS管驱动问题严重。当驱动电压到米勒平台，理想是保持不变，但是如上第二个图有...
PFC(功率因数校正)主要是对输入电流波形进行控制，使其同步输入电压波形。功率...PFC(功率因数校正)主要是对输入电流波形进行控制，使其同步输入电压波形。功率因数是指有功功率与视在功率的比值。功率因素可以衡量电力被有效利用的程度，当功率...
小电流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介绍 KIA3409采用先进的沟槽技术，提供卓越...小电流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介绍 KIA3409采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（on）低栅极充电。这款产品适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用。是一款标...
（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））...（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b）） （2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中...
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。
