图中，MOSFET管充当开关时，将S,D端连入回路中；g,m端连接控制器或者信号发生器...图中，MOSFET管充当开关时，将S,D端连入回路中；g,m端连接控制器或者信号发生器，通过输入信号来控制MOSFET的闭合和断开。
当前时刻，电刷正极和换向器B1接触，电刷负极和换向器B2相连，同时MOS1和MOS4导...当前时刻，电刷正极和换向器B1接触，电刷负极和换向器B2相连，同时MOS1和MOS4导通，MOS3和MOS2关闭，则线圈L1中有电流流过，如图2所示。此时电机开始转动,换向器也...
储能：电路的耗电有时候大，有时候小，当耗电突然增大的时候如果没有电容，电源...储能：电路的耗电有时候大，有时候小，当耗电突然增大的时候如果没有电容，电源电压会被拉低，产生噪声，振铃，严重会导致CPU重启，这时候大容量的电容可以暂时把...
如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此...如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此时Vds向Cgd和Cgs充电，可能导致Vgs达到Vgs(th)导致MOS管误导通。
弱反型区，沟道消失，流过沟道的漂移电流变为扩散电流。模型的表达式变为指数特...弱反型区，沟道消失，流过沟道的漂移电流变为扩散电流。模型的表达式变为指数特性而不是平方律 弱反型区适合低功耗电路，因为电流很小，但问题在于较大的噪声以及...
对于NMOS，当衬源PN结正偏时，会带来闩锁效应（Latch-up），所以VBS<0，背栅效...对于NMOS，当衬源PN结正偏时，会带来闩锁效应（Latch-up），所以VBS<0，背栅效应会导致阈值电压变大，电流IDS减小。
