MOS管波形在各拓扑结构中的波形都会不一样，对与PFC来说，MOS管波形见图2，这是...MOS管波形在各拓扑结构中的波形都会不一样，对与PFC来说，MOS管波形见图2，这是因为工作在了CCM模式下的PFC MOS管波形，可以看到尖峰非常高，
箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 MOS管的管脚有三个：源极S（sou...箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和N...
KIA3415采用了先进的沟道技术。提供卓越的R-DS（开）、低栅极电荷和低至1.8V的...KIA3415采用了先进的沟道技术。提供卓越的R-DS（开）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该装置适合作为负载开关或在PWM中应用。KIA3415是标准不含铅产品。
导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻（Resistor，通常用“R”表示）是...导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻（Resistor，通常用“R”表示）是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对...
电气设备（如断路器，电机或变压器）的电流额定值，是指在某个电流下，器件本身...电气设备（如断路器，电机或变压器）的电流额定值，是指在某个电流下，器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值...
LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨...LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的...
