最理想的 MOSFET 驱动器电路如图1所示。这种配置常用于升压（boost）、反激式和...最理想的 MOSFET 驱动器电路如图1所示。这种配置常用于升压（boost）、反激式和单开关的正激开关电源拓扑结构中。采用正确的布板技巧和选择合适的偏置电压旁路电容...
VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较...VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充分导通，其栅极驱动电压一般要求≥10V。
L为PCB走线电感，一般直走线为1nH/mm，考虑杂七杂八的因素，取L = Length+10（...L为PCB走线电感，一般直走线为1nH/mm，考虑杂七杂八的因素，取L = Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号是12V峰值的方波，Cgs为MO...
利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则...利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而...
由 Vcc 供电的 LM386 使用电阻器 R1 和电容器 C2。这是为了防止电路振荡。电阻...由 Vcc 供电的 LM386 使用电阻器 R1 和电容器 C2。这是为了防止电路振荡。电阻R2和电容C3在上述电路中起着重要作用，因为它改变了输出中获得的输出增益。增加一个...
增强型MOS管的工作原理基于栅源电压（VGS）的控制。当栅源之间不加电压时，漏源...增强型MOS管的工作原理基于栅源电压（VGS）的控制。当栅源之间不加电压时，漏源之间的PN结是反向的，因此不存在导电沟道，即使漏源之间加了电压，也不会有电流通过...
