传输管TG原理及组合逻辑延时：MOS，即场效应管，四端器件，S、D、G、B四个端口...传输管TG原理及组合逻辑延时：MOS，即场效应管，四端器件，S、D、G、B四个端口可以实现开和关的逻辑状态，进而实现基本的逻辑门。NMOS和PMOS具有明显的对偶特性：...
MOS管开关电流电路延迟线：开关电流技术是近年来提出的一种新的模拟信号采样、...MOS管开关电流电路延迟线：开关电流技术是近年来提出的一种新的模拟信号采样、保持、处理技术。与已成熟的开关电容技术相比，开关电流技术不需要线性电容和高性能...
MOS管构成的缓冲器Buffer：场效应管（Field-EffectTransistor）通过不同的搭配...MOS管构成的缓冲器Buffer：场效应管（Field-EffectTransistor）通过不同的搭配可以构成各种各样的门电路，如开篇所说，这些最基本的单元电路或许是现代IC的基础。...
MOS管的关断缓冲电路：在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流...MOS管的关断缓冲电路：在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电...
MOS管栅极最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个...MOS管栅极最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的...
KNF7650MOS管500V25A参数-特性：高级平面流程，RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS =...KNF7650MOS管500V25A参数-特性：高级平面流程，RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS = 10v，低栅极电荷使开关损耗最小化，坚固的多晶硅栅极结构
