KIA KNG3703A TO‑252 N 沟道 MOS 管，30V 50A，典型 7.5mΩ 低导通内阻，完整...KIA KNG3703A TO‑252 N 沟道 MOS 管，30V 50A，典型 7.5mΩ 低导通内阻，完整雪崩参数，栅电荷小开关速度快。解决电源大电流发热、开关损耗高难题，适配网络 DC‑...
KIA50N03B TO‑252 N 沟道 MOS 管，30V 50A，典型 Rds (on)=6.5mΩ，低栅极电荷...KIA50N03B TO‑252 N 沟道 MOS 管，30V 50A，典型 Rds (on)=6.5mΩ，低栅极电荷、快速开关，具备雪崩耐受，解决大电流发热、误导通炸管难题，适配 DC‑DC、锂电保...
KIA KLF80R240B 高压 N 沟道 MOS 管，TO‑220F 绝缘封装，800V 18A，低导通电阻...KIA KLF80R240B 高压 N 沟道 MOS 管，TO‑220F 绝缘封装，800V 18A，低导通电阻、低栅极电荷，100% 雪崩测试，抗 dv/dt 干扰。适配开关电源、LED 驱动、工业电源、...
KLM80R240B 采用 TO‑247F 封装，800V 高压 N 沟道 mos 管，低导通损耗，抗 dv...KLM80R240B 采用 TO‑247F 封装，800V 高压 N 沟道 mos 管，低导通损耗，抗 dv/dt 干扰，雪崩性能优异。适配开关电源、逆变器、充电桩、PFC 功率校正，解决电源发...
KLF60R065B TO‑220F 绝缘封装 N 沟道 mos 管，600V50A 超结工艺，低 Rds (on)...KLF60R065B TO‑220F 绝缘封装 N 沟道 mos 管，600V50A 超结工艺，低 Rds (on)、低栅极电荷，解决电源温升高、开关损耗大、器件易损坏痛点，100% 雪崩测试，适配 ...
KLF60R065B TO‑220F 绝缘封装 N 沟道 MOS 管，600V50A 超结工艺，低 Rds (on)...KLF60R065B TO‑220F 绝缘封装 N 沟道 MOS 管，600V50A 超结工艺，低 Rds (on)、低栅极电荷，解决电源温升高、开关损耗大、可靠性差痛点，100% 雪崩测试，适配 PF...
