KIA 半导体官方供应 KIA4603A，是 30V/7A N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOP-8 封...KIA 半导体官方供应 KIA4603A，是 30V/7A N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOP-8 封装，典型导通电阻低至 14.5mΩ，超低栅极电荷，先进高密度沟槽工艺，优秀 CdV/dt 抗...
KCX3650A场效应管漏源电压500V，漏极电流60A，导通电阻RDS（ON）50mΩ，采用先...KCX3650A场效应管漏源电压500V，漏极电流60A，导通电阻RDS（ON）50mΩ，采用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移降低性能；坚固的高压...
KIA65R300FS场效应管漏源电压650V，漏极电流15A，导通电阻RDS（ON）0.27Ω，低...KIA65R300FS场效应管漏源电压650V，漏极电流15A，导通电阻RDS（ON）0.27Ω，低栅极电荷（典型值43nC），高坚固性、快速切换确保电路高效稳定，100%雪崩测试、改进...
KIA65R190FS场效应管漏源电压650V，漏极电流20A，导通电阻RDS（ON）0.16Ω，低...KIA65R190FS场效应管漏源电压650V，漏极电流20A，导通电阻RDS（ON）0.16Ω，低栅极电荷（典型值70nC），具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能增...
KIA12N65H场效应管漏源电压650V，漏极电流12A，导通电阻RDS（ON）0.63Ω，高效...KIA12N65H场效应管漏源电压650V，漏极电流12A，导通电阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值52nC），最小化开关损耗，快速切换能力在电路中能够迅速响...
KIA13N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，导通电阻RDS（ON）0.4Ω，高效低...KIA13N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，导通电阻RDS（ON）0.4Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、...
