KIA3004B（KNY3004B）是一款 40V/120A N 沟道 MOSFET，采用 DFN5*6 先进沟槽工...KIA3004B（KNY3004B）是一款 40V/120A N 沟道 MOSFET，采用 DFN5*6 先进沟槽工艺封装，典型 Rds (ON)=2.4mΩ，超低导通损耗，具备 100% UIS 雪崩测试认证，专为快...
KIA6140A（KNP6140A/KNF6140A）是一款 10A/400V N 沟道高压 MOSFET，采用新型平...KIA6140A（KNP6140A/KNF6140A）是一款 10A/400V N 沟道高压 MOSFET，采用新型平面工艺，典型 Rds (ON)=0.35Ω，低栅极电荷、快恢复体二极管特性，TO-220/TO-220F ...
KIA61100A（KNM61100A）是一款 10A/1000V N 沟道高压 MOSFET，采用 TO-247 封装...KIA61100A（KNM61100A）是一款 10A/1000V N 沟道高压 MOSFET，采用 TO-247 封装，具备低 Rds (ON)（典型 1.0Ω）、低栅极电荷、快恢复体二极管特性，专为适配器、...
KIA3725A 现货直供】250V/50A N 沟道 MOSFET，采用新型平面工艺，Rds (on) 低至...KIA3725A 现货直供】250V/50A N 沟道 MOSFET，采用新型平面工艺，Rds (on) 低至 45mΩ，大幅降低导通损耗与设备发热；内置快恢复体二极管，开关损耗更低，抗冲击能...
【KIA6115A 现货直供】-150V/-10A P 沟道 MOSFET，采用先进沟槽工艺，Rds (on)...【KIA6115A 现货直供】-150V/-10A P 沟道 MOSFET，采用先进沟槽工艺，Rds (on) 典型值 300mΩ，低栅极电荷实现快速开关，低热阻设计降低设备发热。支持 DFN5*6/TO...
【KIA 45100A现货直供】N沟道MOSFET，1000V/6A核心参数，RDS(ON)典型值2.0Ω，...【KIA 45100A现货直供】N沟道MOSFET，1000V/6A核心参数，RDS(ON)典型值2.0Ω，低栅极电荷+内置快恢复体二极管，大幅降低开关损耗。支持TO-220/TO-252/TO-220F多封...
