KIA KNX2708A 是80V/160A N沟道MOSFET，采用专有新沟槽技术，Rds(ON)典型值4.0...KIA KNX2708A 是80V/160A N沟道MOSFET，采用专有新沟槽技术，Rds(ON)典型值4.0mΩ，313W高功率损耗，-55~175℃宽温运行，TO-220/TO-263双封装可选，适配DC-DC转换...
KIA KNX2708A 是一款80V/160A N沟道功率MOSFET，采用专有新沟槽技术，Rds(ON)典...KIA KNX2708A 是一款80V/160A N沟道功率MOSFET，采用专有新沟槽技术，Rds(ON)典型值仅4.0mΩ，脉冲电流达640A，支持-55℃~175℃宽温运行，TO-220/TO-263双封装可选...
KIA3303C 是一款 30V/90A N 沟道功率 MOSFET，DFN 封装 Rds (on) 低至 2.6mΩ，...KIA3303C 是一款 30V/90A N 沟道功率 MOSFET，DFN 封装 Rds (on) 低至 2.6mΩ，TO-252 封装仅 3.2mΩ，超低导通损耗，支持快速开关与高 dv/dt，100% 雪崩测试，适...
KIA4590A专为适配器、充电器、开关电源待机电源设计，900V/6A足额耐压，低导通...KIA4590A专为适配器、充电器、开关电源待机电源设计，900V/6A足额耐压，低导通电阻低损耗，快速恢复体二极管抗干扰，可直接替代进口同参数型号，KIA半导体官方现货...
KIA半导体官方供应KIA65R420，650V/11A N沟道超结MOSFET，RDS(on)=0.38Ω，TO-...KIA半导体官方供应KIA65R420，650V/11A N沟道超结MOSFET，RDS(on)=0.38Ω，TO-220F封装，低栅极电荷高雪崩耐量，可直接替代进口型号，现货稳定供应，提供免费样品...
IA半导体官方供应KIA3508A，80V/70A N沟道MOSFET，覆盖TO-220/TO-263/TO-252全...IA半导体官方供应KIA3508A，80V/70A N沟道MOSFET，覆盖TO-220/TO-263/TO-252全封装，典型导通内阻7.5mΩ，100%雪崩测试，pin to pin兼容进口/国产型号，零改板替换...
