KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，...KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，RDS（开启）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低栅电荷、低反馈电容、开...
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（...KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值），最大限度地减少导电损耗，提供卓越的开关性能；高雪崩、电...
KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电...KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电流为35A，超低栅极电荷，提供卓越的开关性能；100%EAS保证、出色的Cdv/dt效应、绿色...
KIA3506A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ ...KIA3506A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试，减小损耗，稳定可靠；KIA3506A可以代...
KIA30N06B场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流2...KIA30N06B场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，RDS（开启）=25mΩ@VDS=60V，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应下降以及100%E...
KIA2404A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流190A；超低...KIA2404A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流190A；超低导通电阻RDS（开启）（TYP）=2.2mΩ@VGS=10 V，提高开关效率降低损耗；100%雪崩试验...
