IA5N50SY 为 DFN5*6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 5A/500V；紧凑贴片封装大幅节省...IA5N50SY 为 DFN5*6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 5A/500V；紧凑贴片封装大幅节省 PCB 占用空间，单脉冲雪崩能量 80mJ 可抵御电压浪涌，栅极电荷低、开关损耗小，体二...
KIA 原厂 6035AP 为 TO-220 封装 N 沟道功率 MOS，耐压 350V、常温连续电流 11...KIA 原厂 6035AP 为 TO-220 封装 N 沟道功率 MOS，耐压 350V、常温连续电流 11A；采用先进平面条纹 DMOS 工艺，导通内阻低、栅极电荷仅 15nC，开关速度快；单脉冲...
KIA 原厂 KNP9130B 为 TO-220 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 300V、常温连续电流 4...KIA 原厂 KNP9130B 为 TO-220 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 300V、常温连续电流 40A；自研平面工艺实现 0.12Ω 超低导通内阻，栅极电荷小、体二极管恢复速度快，大幅...
KIA 原厂 KNP9125A 为 TO-220 封装 N 沟道 MOS 管，耐压 250V、持续电流 40A，...KIA 原厂 KNP9125A 为 TO-220 封装 N 沟道 MOS 管，耐压 250V、持续电流 40A，采用自研平面工艺，栅极电荷小、内置快恢复体二极管，可显著降低 DC-DC 变换器、UPS...
KIA 原厂 KNM2920B 为 TO-247 封装 N 沟道大功率 MOS 管，耐压 200V、常温连续...KIA 原厂 KNM2920B 为 TO-247 封装 N 沟道大功率 MOS 管，耐压 200V、常温连续电流 130A，导通内阻典型仅 9.5mΩ；单脉冲雪崩能量达 1250mJ，抗浪涌能力强，有效解...
KIA 原厂 KNP3520A 是 TO-220 封装 N 沟道大功率 MOS 管，耐压 200V、连续电流...KIA 原厂 KNP3520A 是 TO-220 封装 N 沟道大功率 MOS 管，耐压 200V、连续电流 75A，导通内阻典型 20mΩ，栅极电荷低、开关速度快；单脉冲雪崩能量 233mJ，可抵御...
