IA 原厂 KNB2915A 是 TO-263 封装 N 沟道大功率 MOS 管，耐压 150V、连续电流 ...IA 原厂 KNB2915A 是 TO-263 封装 N 沟道大功率 MOS 管，耐压 150V、连续电流 130A，导通内阻典型值仅 10mΩ，开关损耗低；单脉冲雪崩能量 272mJ，可抵御电机启停...
KCB036R10A 是 TO-263 封装 N 沟道大功率 MOS 管，额定 120V/130A，导通内阻低...KCB036R10A 是 TO-263 封装 N 沟道大功率 MOS 管，额定 120V/130A，导通内阻低至 6mΩ，栅极电荷小、高频损耗低；具备优异雪崩耐量，解决电源温升高、浪涌炸管、直...
KCT1810A 是 KIA 原厂 TOLL-8 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 240A，...KCT1810A 是 KIA 原厂 TOLL-8 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 240A，典型 Rds (on) 仅 1.6mΩ；采用 SGT 工艺，散热、抗浪涌性能优异，适配储能 BMS、大...
KCT1810A 是 KIA 原厂 TOLL-8 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 240A，...KCT1810A 是 KIA 原厂 TOLL-8 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 240A，典型 Rds (on) 仅 1.6mΩ；采用 SGT 工艺，散热、抗浪涌性能优异，适配储能 BMS、大...
KNP2710A 是 KIA 原厂 TO-220 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 160A，...KNP2710A 是 KIA 原厂 TO-220 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 160A，典型导通内阻 5mΩ；ESD、雪崩性能优异，适配 DC-DC 转换器、同步整流、UPS 逆变器...
KCB036R10A 是 KIA 原厂 TO-263 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 140...KCB036R10A 是 KIA 原厂 TO-263 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 140A，典型导通内阻仅 3.4mΩ；开关损耗低、雪崩可靠性优异，解决大功率电源 MOS 发热、...
