KNK74120A场效应管采用高级平面工艺，漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，RDS（O...KNK74120A场效应管采用高级平面工艺，漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，RDS（ON）=480mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗以及加固多晶硅栅极结...
美国康奈尔大学科学家研制出一款新型锂电池，可在5分钟内完成充电，速度快于市...美国康奈尔大学科学家研制出一款新型锂电池，可在5分钟内完成充电，速度快于市场上其他同类电池，且历经数千次充放电循环后仍能保持性能稳定，有望缓解电动车驾驶...
电源模块热销KNX42120A高压场效应管具有漏源击穿电压高达1200V和漏极电流可达3...电源模块热销KNX42120A高压场效应管具有漏源击穿电压高达1200V和漏极电流可达3A的特点，RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V；还具有低栅极电荷最小化开关损耗，低反向...
KNX3308B是一款高性能的场效应管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值...KNX3308B是一款高性能的场效应管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ（typ）在VGS为10V时，这使得它成为电源和DC-DC转换器等应用领域的理想选...
KNX3204A场效应管是一种高性能的电子元件，非常适合应用于锂电池保护板。该场效...KNX3204A场效应管是一种高性能的电子元件，非常适合应用于锂电池保护板。该场效应管具有漏源电压40V和漏极电流100A的特点，可以承受较大的电压和电流。其特殊设计...
KNX3703A是一款采用先进的沟槽工艺技术的N沟道增强型场效应管，这款mosfet是具...KNX3703A是一款采用先进的沟槽工艺技术的N沟道增强型场效应管，这款mosfet是具有超低导通电阻的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、卓越的开关性能。KNX370...
