MOS管小尺寸下的效应分析 MOS管在小尺寸下的效应,主要是小尺寸下的高电场(包...MOS管小尺寸下的效应分析 MOS管在小尺寸下的效应,主要是小尺寸下的高电场(包括垂直和水平电场)引起的问题,包括迁移率退化,热载流子以及 DIBL 等问题。
双稳态电路是我们经常用于作为单键控制负载开关电路。本文介绍一个由两个MOS管...双稳态电路是我们经常用于作为单键控制负载开关电路。本文介绍一个由两个MOS管构成的低功耗双稳态电路。假设Q1的G极输入是高电平,Q1导通,输出低电平,低电平接到...
MOS管KNX3108A 80V110A-特征 RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V 提供无铅环保设备...MOS管KNX3108A 80V110A-特征 RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V 提供无铅环保设备 低RD-ON可将传导损耗降至最低 大雪崩电流
出现死区的主要原因是因为MOS管的源极和栅极之间的结电容。现在在栅极加上一个...出现死区的主要原因是因为MOS管的源极和栅极之间的结电容。现在在栅极加上一个门电路。当门电路输出的信号跳变的瞬间,电流是非常大的,会导致MOS管发热,所以需要...
低内阻MOS管 KIA3506A 60V70A产品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 专...低内阻MOS管 KIA3506A 60V70A产品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 专为电动自行车控制器应用而设计 超低电阻 高UIS和UIS 100%测试
MOS管封装失效原因 封装,顾名思义是将集成电路包封起来,达到与外加隔离的目...MOS管封装失效原因 封装,顾名思义是将集成电路包封起来,达到与外加隔离的目的。在工程师的日常工作当中,时不时会遇到一些MOS管封装失效,本文总结了一些失效的...