KNX7650A场效应管采用高级平面工艺制造，具备漏源电压500V和漏极电流25A的特性...KNX7650A场效应管采用高级平面工艺制造，具备漏源电压500V和漏极电流25A的特性，RDS（ON）（典型值）为170mΩ@VGS=10V，封装形式：TO-220F、TO-3P；KNX7650A是一款...
KIA75NF75场效应管漏源击穿电压为80V，漏极电流为80A，RDS（ON）参数为7mΩ（典...KIA75NF75场效应管漏源击穿电压为80V，漏极电流为80A，RDS（ON）参数为7mΩ（典型值）@VGS=10V，能够最大限度地减少导电损耗。这款场效应管还具备无铅和绿色设备的...
高压场效应管KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指...高压场效应管KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、...
pc电源,pd电源MOS管KNX4890A采用专有新型平面技术，漏源电压900V，漏极电流9.0...pc电源,pd电源MOS管KNX4890A采用专有新型平面技术，漏源电压900V，漏极电流9.0A，RDS（ON）=1.2Ω（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体...
KIA78L08是单片固定电压调节器集成电路。它适用于需要高达100mA供电电流的应用...KIA78L08是单片固定电压调节器集成电路。它适用于需要高达100mA供电电流的应用。KIA78l08三端稳压管其特点是输出电流高达100mA，无需外部零件，内置热过载停机保护...
PD电源热销MOS管KNX3403B是一种N沟道增强型功率Mosfet场效应晶体管，使用KIA的...PD电源热销MOS管KNX3403B是一种N沟道增强型功率Mosfet场效应晶体管，使用KIA的LVMosfet技术生产。KNX3403B经过改进的工艺和单元结构经过特别定制，漏源击穿电压30...
