门电路：用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路(Gate Circu...门电路：用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路(Gate Circuit)或逻辑门(Logic Gate)。门电路是数字集成电路中最基本的逻辑单元。 当门电路的输...
NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A资料 特征： 沟槽功率低压MOSFET技术 优良...NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A资料 特征： 沟槽功率低压MOSFET技术 优良的散热封装 低RDS(ON)的高密度电池设计
MOS管我们在设计电路中常用的一种无源器件。在原理图和PCB以及实物PCB中如何辨...MOS管我们在设计电路中常用的一种无源器件。在原理图和PCB以及实物PCB中如何辨别各种MOS管？作为应用好的先决条件，必须认对管子，了解MOS管画法。
在电路设计中，常见到利用 MOS 电容做去耦电容（也有利用来做miller补偿的电容...在电路设计中，常见到利用 MOS 电容做去耦电容（也有利用来做miller补偿的电容），因此对 mosfet 的 c-v 特性曲线有必要进行确认。关于具体的 c-v 曲线的仿真方法...
50A60V内阻低 MOS管KIA50N06产品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供无铅绿色...50A60V内阻低 MOS管KIA50N06产品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供无铅绿色设备 低Rds开启，可将传导损耗降至最低 高雪崩电流
栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损耗。当MOSFET开...栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损耗。当MOSFET开关时，电源IC的栅极驱动器向MOSFET的寄生电容充电（向栅极注入电荷）而产生这种损耗...
