KNX3203B漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=1...KNX3203B漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252，能够匹配代换svt035r5nd和nce03h11k型号参数场效应管。
6610A采用KIA先进的平面条纹TRENCH技术生产。这种先进的技术经过特别定制，可最...6610A采用KIA先进的平面条纹TRENCH技术生产。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。K...
KIA半导体KCX3008A型号场效应管能够完美匹配crss052n08n型号参数场效应管。KCX...KIA半导体KCX3008A型号场效应管能够完美匹配crss052n08n型号参数场效应管。KCX3008A漏源击穿电压85V, 漏极电流最大值为120A ,RDS(on) =4.5mΩ(typ)@VGS=10V，采用...
KIA半导体这款KPD7910A型号场效应管能够完美匹配NCE01P18型号参数场效应管。...KIA半导体这款KPD7910A型号场效应管能够完美匹配NCE01P18型号参数场效应管。7910A为低压大电流功率场效应管，-28A ,-100V, RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，开...
MOS管42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流最大值为3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@V...MOS管42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流最大值为3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@VGS=10V，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小...
KNF6165C最高承受电压可达650V，漏极电流最大值为10A，栅源电压：±20V，脉冲漏...KNF6165C最高承受电压可达650V，漏极电流最大值为10A，栅源电压：±20V，脉冲漏极电流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封装形式：TO-220F；脚位排列位...
