6140S N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关...6140S N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。knp6140漏源击穿电压400V,...
irfp3206场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流最大为200A；RDS（on）（典型值）=...irfp3206场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流最大为200A；RDS（on）（典型值）=2.4mΩ@Vgs=10V。60v 200a场效应管irfp3206型号适合应用于：开关电源中的高效同步整...
ncep15t14场效应管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能够使用...ncep15t14场效应管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能够使用KIA半导体的KNX2915A型号替代，KNX2915A漏源击穿电压150V，漏极电流最大为130A；RDS...
KIA2906A漏源击穿电压60V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@V...KIA2906A漏源击穿电压60V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，KIA2906A能够完美匹配hy1906...
KIA50N03A场效应管是采用KIA半导体先进工艺制造，具有较低的导通电阻、优越的开...KIA50N03A场效应管是采用KIA半导体先进工艺制造，具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗，卓越高效。KIA50N03A可完...
MOS管KIA2300漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ,封装形式：SOT-23，可替...MOS管KIA2300漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ,封装形式：SOT-23，可替代SI2300以及NCP1117，KIA2300具有较低的导通电阻、优越的开关性能、可最大限度地...
