逆变器mos管发热严重由于逆变器的场效应管管耗较大,工作时一般要求要外接面...逆变器mos管发热严重由于逆变器的场效应管管耗较大,工作时一般要求要外接面积足够大的散热片,并且外接散热片与场效应管自身散热片之间应紧密接触(一般要求涂...
MOS管烧坏的原因Mos管主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程...MOS管烧坏的原因Mos管主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把...
功率MOSFET-Vdss温度特性分析,由图可知MSOFET耐压随温度升高而增加。 为什么M...功率MOSFET-Vdss温度特性分析,由图可知MSOFET耐压随温度升高而增加。 为什么MSOFET的VDS耐压随温度升高而增加,即呈现正温度系数呢?
以840的参数计算,假定门极电压10V,那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电...以840的参数计算,假定门极电压10V,那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是,不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了,而是门极电压...
MOS管导通损耗的计算公式为:P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36...MOS管导通损耗的计算公式为:P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36W
判断场效应管工作区域,下面先讲述MOS管场效应管的四个区域:1)可变电阻区(也...判断场效应管工作区域,下面先讲述MOS管场效应管的四个区域:1)可变电阻区(也称非饱和区):满足Ucs》Ucs(th)(开启电压),uDs《UGs-Ucs(th),为图中预夹断...