KNX3303B是一款漏极电流90A，漏源击穿电压30V的场效应管，RDS(ON)=2.6mΩ(typ....KNX3303B是一款漏极电流90A，漏源击穿电压30V的场效应管，RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)@VGS=10V ，极低导通电阻RDS（On）能够减少导通损耗，还具有低Crss、快速切换、100...
KNX3208A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=1...KNX3208A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用专有新沟槽技术，具有低门电荷减小开关损耗、快恢复体二极管等特性，能够替...
KNX3206A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流110A，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）...KNX3206A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流110A，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）@VGS=10V，低RDS（ON）以最大限度地减少导电损耗，能够替代irf3205以及80nf70型号进...
KNX3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低Rds...KNX3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低Rds开启，最大限度地减少导电损耗，能够替代stp60nf06型号进行使用，开关速度快，内阻低...
KIA2803A场效应管采用沟槽加工工艺设计，实现极低的导通电阻，漏源击穿电压30V...KIA2803A场效应管采用沟槽加工工艺设计，实现极低的导通电阻，漏源击穿电压30V，漏极电流150A，RDS(on)=2.2mΩ@VGS=10V，提供低栅极电荷的优异RDS（ON），KIA2803...
KND3203B场效应管采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术，漏源击穿电压30V，漏极电流100A...KND3203B场效应管采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术，漏源击穿电压30V，漏极电流100A，RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V，提供低栅极电荷的优异RDS（ON），能够替代30h10k型号进行...
