KND3203B场效应管采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术，漏源击穿电压30V，漏极电流100A...KND3203B场效应管采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术，漏源击穿电压30V，漏极电流100A，RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V，提供低栅极电荷的优异RDS（ON），能够替代30h10k型号进行...
锂电池保护板热销场效应管KNX3403A采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅极电荷...锂电池保护板热销场效应管KNX3403A采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅极电荷的优异RDS（ON），KNX3403A漏源击穿电压30V，漏极电流85A，可以替代新洁能nce3080k...
KIA3103A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流110A，RDS（开启）=2.6mΩ@VGS=10V...KIA3103A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流110A，RDS（开启）=2.6mΩ@VGS=10V；低导通电阻、快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩，最大限度地减少导...
锂电池保护板专用MOS场效应管KNE4603A漏源击穿电压30V，漏极电流7A，RDS（开）...锂电池保护板专用MOS场效应管KNE4603A漏源击穿电压30V，漏极电流7A，RDS（开）典型值=16mΩ@VGS=10V；具有超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降，最大限度地减少导...
K3878是一款N通道金属氧化物场效应管，带保护二极管的d和s；带保护的g、s双向二...K3878是一款N通道金属氧化物场效应管，带保护二极管的d和s；带保护的g、s双向二极管；其参数为耐压：900V、电流：9A。
逆变器专用mos管KNX2404A漏源击穿电压40V，漏极电流190A，RDS（开）典型值=2.2...逆变器专用mos管KNX2404A漏源击穿电压40V，漏极电流190A，RDS（开）典型值=2.2mΩ@VGS=10V；具有低Rds开启，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗等特性，高雪...
