KIA 原厂 KCD3406B TO-252 贴片 N 沟道功率 MOS 管，额定 60V80A，采用先进 SG...KIA 原厂 KCD3406B TO-252 贴片 N 沟道功率 MOS 管，额定 60V80A，采用先进 SGT 沟槽工艺，VGS=10V 导通电阻仅 7.8mΩ，解决电源发热大、转换效率低客户痛点。 超...
KIA 原厂 KCY3406 DFN5*6 N 沟道功率 MOSFET，耐压 60V / 电流 80A，SGT 工艺导...KIA 原厂 KCY3406 DFN5*6 N 沟道功率 MOSFET，耐压 60V / 电流 80A，SGT 工艺导通电阻仅 7.8mΩ。解决电源发热、开关损耗大、耐压不稳定痛点，超低栅电荷适配快充...
KIA 原厂 KCD3406B TO-252 封装 60V80A SGT 高速 MOSFET，总栅电荷仅 16nC，Rd...KIA 原厂 KCD3406B TO-252 封装 60V80A SGT 高速 MOSFET，总栅电荷仅 16nC，Rds (on) 典型 7.8mΩ，强抗 dV/dt 干扰。可直接替代 AOD6080、NTD80N06，解决进口 MO...
KIA 原厂 KIA50N06DD TO-252 封装 60V50A N 沟道 MOSFET，导通内阻典型 7.5mΩ...KIA 原厂 KIA50N06DD TO-252 封装 60V50A N 沟道 MOSFET，导通内阻典型 7.5mΩ，225mJ 雪崩抗冲击。可直接替代 AOD6050、NTD50N06，解决进口 MOS 交期长、单价高痛...
KIA 原厂 KND64045A TO-252 封装 45V13A N 沟道 MOSFET，Rds (on) 典型 6.6mΩ...KIA 原厂 KND64045A TO-252 封装 45V13A N 沟道 MOSFET，Rds (on) 典型 6.6mΩ，超低栅电荷，182mJ 雪崩抗冲击。完美替代 AOD4454、UT45N13L，解决进口 MOS 交期久...
储能、UPS 设备大电流发烫、MOS 频繁炸管？KIA 原厂 KCY1104A DFN5*6 MOS 管，...储能、UPS 设备大电流发烫、MOS 频繁炸管？KIA 原厂 KCY1104A DFN5*6 MOS 管，40V 耐压 315A 持续电流，典型 Rds (on)=0.7mΩ，800mJ 高雪崩耐受，SGT 工艺低损耗...
