KIA 半导体官方供应 KIA4603A，是 30V/7A N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOP-8 封...KIA 半导体官方供应 KIA4603A，是 30V/7A N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOP-8 封装，典型导通电阻低至 14.5mΩ，超低栅极电荷，先进高密度沟槽工艺，优秀 CdV/dt 抗...
该电路使用二极管的单向电导率进行整流。在U2的正半周期内，二极管D向前传导。...该电路使用二极管的单向电导率进行整流。在U2的正半周期内，二极管D向前传导。电流从变压器次级线圈的上端流过二极管D，流过负载电阻RL并流回变压器次级线圈的下端...
当按下其中一个键（用力按下S1，轻轻按下S2）时，IC2d的输出会改变状态，从而使...当按下其中一个键（用力按下S1，轻轻按下S2）时，IC2d的输出会改变状态，从而使时钟发生器和IC1（通过IC2b）使能。然后，电容C1通过R1和R2充电，直到IC2a的输入电...
KCX3650A场效应管漏源电压500V，漏极电流60A，导通电阻RDS（ON）50mΩ，采用先...KCX3650A场效应管漏源电压500V，漏极电流60A，导通电阻RDS（ON）50mΩ，采用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移降低性能；坚固的高压...
KIA65R300FS场效应管漏源电压650V，漏极电流15A，导通电阻RDS（ON）0.27Ω，低...KIA65R300FS场效应管漏源电压650V，漏极电流15A，导通电阻RDS（ON）0.27Ω，低栅极电荷（典型值43nC），高坚固性、快速切换确保电路高效稳定，100%雪崩测试、改进...
KIA65R190FS场效应管漏源电压650V，漏极电流20A，导通电阻RDS（ON）0.16Ω，低...KIA65R190FS场效应管漏源电压650V，漏极电流20A，导通电阻RDS（ON）0.16Ω，低栅极电荷（典型值70nC），具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能增...
