K3878是一款N通道金属氧化物场效应管，带保护二极管的d和s；带保护的g、s双向二...K3878是一款N通道金属氧化物场效应管，带保护二极管的d和s；带保护的g、s双向二极管；其参数为耐压：900V、电流：9A。
逆变器专用mos管KNX2404A漏源击穿电压40V，漏极电流190A，RDS（开）典型值=2.2...逆变器专用mos管KNX2404A漏源击穿电压40V，漏极电流190A，RDS（开）典型值=2.2mΩ@VGS=10V；具有低Rds开启，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗等特性，高雪...
KNX9120A是一款性能出色的场效应管，能够替代irfp260型号使用，KNX9120A采用专...KNX9120A是一款性能出色的场效应管，能够替代irfp260型号使用，KNX9120A采用专有的新平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（开）典型值=50mΩ@VGS=10V；...
AMS1117-5.0是一种线性稳压器，其工作原理是将输入电压稳定在5V输出。因此，将...AMS1117-5.0是一种线性稳压器，其工作原理是将输入电压稳定在5V输出。因此，将12V的输入电压通过AMS1117-5.0可以得到稳定的5V输出电压。
KNX8606B场效应管漏源击穿电压高达60V，漏极电流35A，RDS（开）典型值=15mΩ@V...KNX8606B场效应管漏源击穿电压高达60V，漏极电流35A，RDS（开）典型值=15mΩ@VGS=10V；具有低栅极电荷（典型33nC）、高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv...
irf730场效应管可以使用KIA730H这一款漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，...irf730场效应管可以使用KIA730H这一款漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，性能出色的N沟道增强型硅栅极功率MOSFET替代，专为高压、高速...
