锂电池保护板mos管KIA7P03A是一款高单元密度P沟道MOSFET，漏源电压-30V，漏极电...锂电池保护板mos管KIA7P03A是一款高单元密度P沟道MOSFET，漏源电压-30V，漏极电流-7.5A，出色的导通电阻RDS（ON）18mΩ；具有超低的栅极电荷，最小化开关损耗，具...
逆变器场效应管KNF7650A采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设...逆变器场效应管KNF7650A采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设备性能，提高系统效率；KNF7650A漏源电压500V，漏极电流25A，RDS（ON）为170mΩ；低...
KNX6650A场效应管采用专有平面新技术，漏源电压500V，漏极电流15A，为高压、高...KNX6650A场效应管采用专有平面新技术，漏源电压500V，漏极电流15A，为高压、高速功率开关应用而设计，RDS（ON）为0.33Ω；低栅电荷最小开关损耗、快速恢复体二极管...
KNX6450B是一款高压MOS管，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具...KNX6450B是一款高压MOS管，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具备快速切换特性，实现快速切换电源，减少损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单...
KNX6450A场效应管专为高压、高速功率开关应用设计，在逆变器领域热销，漏源电压...KNX6450A场效应管专为高压、高速功率开关应用设计，在逆变器领域热销，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.40Ω；具备低栅极电荷，最小化开关损耗，稳定可靠...
KNP4540A具有优异的性能和稳定性，是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压400V，...KNP4540A具有优异的性能和稳定性，是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS（ON）值为0.8Ω，低栅极电荷最小化开关损耗，快速恢复体二极管，符...
