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SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力...SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体(多晶型体),它们的物...
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下面针对反激电源实测波形来分析一下。问题一:一反激电源实测Ids电流时前端有...下面针对反激电源实测波形来分析一下。问题一:一反激电源实测Ids电流时前端有一个尖峰(如下图红色圆圈里的尖峰图),这个尖峰到底是什么原因引起的?怎么来消除或者...
MOS管KIA18N50H概述 KIA18N50H 是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设...MOS管KIA18N50H概述 KIA18N50H 是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计的。电压、高速功率开关应用,如高效开关电源,功率因数校正。
KIA品牌MOS管KNX6650A增强型硅栅功率MOSFET是为高压设计的。高速功率开关应用,...KIA品牌MOS管KNX6650A增强型硅栅功率MOSFET是为高压设计的。高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源,开关电源等。基于半桥拓扑的功率因数校正电子灯镇流器。