新闻中心-KIA半导体-广东可易亚半导体科技有限公司

驱动输入端负压抑制及尖峰形成原因-KIA MOS管

许多高性能、高频率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只...许多高性能、高频率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只有有限的直接驱动功率MOSFET的能力。因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱...

半导体元器件过电应力失效图文浅析-KIA MOS管

半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要...半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生...

详解电路设计中零欧姆电阻的作用-KIA MOS管

零欧电阻，即电阻标值为0欧姆的电阻称为零欧电阻。是一种理想电阻，多用于PCB设...零欧电阻，即电阻标值为0欧姆的电阻称为零欧电阻。是一种理想电阻，多用于PCB设计等方面。对于初学者可能会有一个疑问：既然阻止是零，那么和一根导线有什么区别？...

SiC MOSFET的桥式结构图文分析-KIA MOS管

20 世纪90 年代以来，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技术的迅速发展，引...20 世纪90 年代以来，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技术的迅速发展，引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注。与Si 材料相比，碳化硅材料较高的热导率决定...