900V 12A场效应管6390A型号参数：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) =...900V 12A场效应管6390A型号参数：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.75mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高级平面工艺，具有低电荷，低反向传输电容，...
900V高压MOS管4590A型号参数：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6...900V高压MOS管4590A型号参数：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点。封装形式：TO-...
MOS场效应管6180参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（...MOS场效应管6180参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（V）：800V；RDS (on) = 0.72mΩ(typ)@V GS =10V。具有低电荷，低反向传输电容，开关...
KIA24N50功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产。这款24A、500V低电流、...KIA24N50功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产。这款24A、500V低电流、高电压的MOS管是能够匹配：2SK2837、25N50两款型号，能够完美代换使用。
KIA20N50具有500V高耐压，20A漏极直流电流，低反向传输电容开关速度快，内阻低...KIA20N50具有500V高耐压，20A漏极直流电流，低反向传输电容开关速度快，内阻低，耐冲击特性好等特点；在使用性能参数方面能够匹配型号为IRFP460的国外场效应管，也...
KIA半导体这款18N50H是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计，广泛应用...KIA半导体这款18N50H是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计，广泛应用于开关电源、DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，紫外线灯电子镇流器等产品中。
