MOS管100V150A KNX2810A-产品特点 RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度电池设计...MOS管100V150A KNX2810A-产品特点 RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度电池设计 超低导通电阻 雪崩测试100% 提供无铅和绿色设备(符合RoHS)
MOS管接法:图中使用的是NMOS管,左边的电路中,控制端为0V时MOS管关断,S极的...MOS管接法:图中使用的是NMOS管,左边的电路中,控制端为0V时MOS管关断,S极的电平为0,当G极给一定电压U0时MOS管导通,这时候负载(R)有电流(I)通过,S极的电...
KNX7610A采用沟槽加工技术设计,具有极低的导通电阻。这种设计的传统特点是:17...KNX7610A采用沟槽加工技术设计,具有极低的导通电阻。这种设计的传统特点是:175℃结工作温度 、 快速的开关速度和良好的温度。改进了重复雪崩等级。这些特性结合在...
功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的...功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载,带载能力要强。功率MOSFE...
NCE0115K替代MOS管KNX6610A 100V15A 本文主要介绍NCE0115K与KNX6610A两款型号...NCE0115K替代MOS管KNX6610A 100V15A 本文主要介绍NCE0115K与KNX6610A两款型号,主要从它们的功能及封装引脚图、规格书、参数、电路特征等知识汇总。 NCE0115K替...
功率场效应晶体管分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal O...功率场效应晶体管分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一...