如图所示,P-Base与Source电极相连。反向电流可以从Source流入P-Base,通过PN结...如图所示,P-Base与Source电极相连。反向电流可以从Source流入P-Base,通过PN结(P-Base/N-Dift)流入Drain。这个PN结就是MOSFET中的Body diode。其作用是导通电感...
场效应管自激振动电路构造比较简略,原器材较节约,出产成本低,是电视机中选用...场效应管自激振动电路构造比较简略,原器材较节约,出产成本低,是电视机中选用较多的一种电路,现以下图开关电源为例进行分析。
MOS管60V130A-产品特征 1、RDS(on)=5.5mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低R...MOS管60V130A-产品特征 1、RDS(on)=5.5mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低Rds-最小化导电损耗 4、高雪崩电流
PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大,将PWM信号变成具备一定功率...PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大,将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。其常见的电路有PWM MOS管底边驱动,半桥输出、...
整个电路结构可分为启动电路、PTAT电流产生电路、温度比较及其输出电路。下面详...整个电路结构可分为启动电路、PTAT电流产生电路、温度比较及其输出电路。下面详细介绍各部分电路的设计以及实现。文中所设计的CMOS温度保护电路整体电路图如图1所...
120V130A低内阻MOS管 KNX2912A产品描述: KNX2912A,采用先进的沟槽技术,提供...120V130A低内阻MOS管 KNX2912A产品描述: KNX2912A,采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(导通)、低栅极电荷。可用于多种应用。