低内阻MOS管 KIA3506A 60V70A产品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 专...低内阻MOS管 KIA3506A 60V70A产品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 专为电动自行车控制器应用而设计 超低电阻 高UIS和UIS 100%测试
MOS管封装失效原因 封装，顾名思义是将集成电路包封起来，达到与外加隔离的目...MOS管封装失效原因 封装，顾名思义是将集成电路包封起来，达到与外加隔离的目的。在工程师的日常工作当中，时不时会遇到一些MOS管封装失效，本文总结了一些失效的...
常用小功率 低压MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度沟槽N型MOSFETS，具有优...常用小功率 低压MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度沟槽N型MOSFETS，具有优良的RDSON性能。和栅极充电为大多数同步降压转换器的应用。KIA8606满足RoHS标准和绿...
KNX7606A是性能最高的N沟道mosfet，为大多数同步buck变换器提供优良的RDSON和栅...KNX7606A是性能最高的N沟道mosfet，为大多数同步buck变换器提供优良的RDSON和栅极电荷，KNX7606A符合RoHS和绿色产品要求。KIA半导体产品品质优良，KIA半导体执行的...
保护板专用MOS管40V100A KNX3204A产品特点 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、...保护板专用MOS管40V100A KNX3204A产品特点 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、专有新沟槽技术 3、低门电荷减小开关损耗 4、快恢复体二极管
IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低...IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低导通电阻 快速切换 100%雪崩试验 重复雪崩最高允许Tjmax 无铅，符合RoHS标准
