在电路设计中，常见到利用 MOS 电容做去耦电容（也有利用来做miller补偿的电容...在电路设计中，常见到利用 MOS 电容做去耦电容（也有利用来做miller补偿的电容），因此对 mosfet 的 c-v 特性曲线有必要进行确认。关于具体的 c-v 曲线的仿真方法...
50A60V内阻低 MOS管KIA50N06产品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供无铅绿色...50A60V内阻低 MOS管KIA50N06产品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供无铅绿色设备 低Rds开启，可将传导损耗降至最低 高雪崩电流
栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损耗。当MOSFET开...栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损耗。当MOSFET开关时，电源IC的栅极驱动器向MOSFET的寄生电容充电（向栅极注入电荷）而产生这种损耗...
KND3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优...KND3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可...
电平转换在电路设计中非常常见，因为做电路设计很多时候就像在搭积木，这个电路...电平转换在电路设计中非常常见，因为做电路设计很多时候就像在搭积木，这个电路模块，加上那个电路模块，拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会...
MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路...MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而...
