下面以N沟道结型场效应管为例说明场效应管的特性。图1.1为场效应管的漏极特性曲...下面以N沟道结型场效应管为例说明场效应管的特性。图1.1为场效应管的漏极特性曲线。输出特性曲线分为三个区:可变电阻区、恒流区和击穿区 。
型号:KNB3308B 电流:80A 电压:80V 漏源极电压:80V 栅源电压:±25V 雪...型号:KNB3308B 电流:80A 电压:80V 漏源极电压:80V 栅源电压:±25V 雪崩电流:40A 雪崩能源:440MJ 接头和储存温度范围:-55℃至+175℃
国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息详细...国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息详细介绍。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端...
场效应管的直流参数 1.夹断电压Up 在UDS为某一固定值的条件下,使ID等于一个...场效应管的直流参数 1.夹断电压Up 在UDS为某一固定值的条件下,使ID等于一个微小电流值(几微安)时,栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽...
KNX3508A参数80V70A产品特征 RDS(ON)=11mΩ(典型值)@ VGS=10v 100%雪崩测...KNX3508A参数80V70A产品特征 RDS(ON)=11mΩ(典型值)@ VGS=10v 100%雪崩测试 可靠、坚固耐用 无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准)
一、符号“Q、VI”,场效应管简称FET,是一种半导体器件,是通过电压来控制输出...一、符号“Q、VI”,场效应管简称FET,是一种半导体器件,是通过电压来控制输出电流的,是电压控制器件。 场效应管分三个极: D极为漏极(供电极) S极为源极(输出...