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假设Q为低电平,则非门2的输入端为高电平,经过R对C充电,C的电压上升,直到非门1输入端的电压达到反转电压,此时非门1的输出变为低电平,Q变为高电平。
www.kiaic.com/article/detail/4210.html 2023-04-26
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R-S锁存器是静态存储单元中最基本的一种电路结构,通常由两个或非门或者与非门组成,下图为与非门搭建R-S锁存器的电路结构图。
www.kiaic.com/article/detail/4209.html 2023-04-26
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KNX2408A,采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON),低栅极电荷,适用于多种应用。
www.kiaic.com/article/detail/4208.html 2023-04-26
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下图为反相器的结构示意图,由一个PMOS和一个NMOS拼接而成当v=1时,T1截止,T2导通,vo=0;当v=0时,T1导通,T2截止,vo=1;
www.kiaic.com/article/detail/4207.html 2023-04-25
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电压波纹和开关噪声通常是由电源线发出的。这种噪声会影响晶体振荡器的输出。此外,有必要确保晶体振荡器产生的波纹噪声不会流到电源线上。实施这些措施还可以改善隔离,防止其他设备产生的外部噪声流入晶体振荡器,从而保证晶体振荡器的稳定性。
www.kiaic.com/article/detail/4206.html 2023-04-25
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在运放构成的反向放大电路中,噪声主要来源于以下三方面:(1)运放的输入噪声电压(datasheet有数据曲线)(2)运放的输入电流噪声(datasheet有数据曲线),需要流过电阻后转换成电压噪声。(3)设置放大倍数的电阻R1和Rf的热噪声,可通过下面公式计算
www.kiaic.com/article/detail/4205.html 2023-04-25
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KNB2808A 150A 80V TO-263-特征RDS(开启)=4.0mΩ(典型值)@VGS=10V100%雪崩测试可靠且坚固提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)
www.kiaic.com/article/detail/4204.html 2023-04-24
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散粒噪声由导体中电荷载流子运动的随机波动引起的,当电子遇到障碍时,势能积累,直到电子越过障碍。例如当每个电子随机穿过势垒(例如半导体中的pn结)时,能量在电子遇到时被存储和释放,然后穿过势垒射出。
www.kiaic.com/article/detail/4203.html 2023-04-24
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噪声通常包括器件的固有噪声和外部噪声,固有噪声包括:热噪声、散弹噪声和低频噪声(1/f噪声)等;外部的噪声通常指电源噪声、空间耦合干扰等,通常通过合理的设计可以避免或减小影响。
www.kiaic.com/article/detail/4201.html 2023-04-23
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上图是运放的噪声频谱密度,图中的2.6nV/sqrt(Hz),2.7pA/sqrt(Hz)是电源、电流带宽噪声。
www.kiaic.com/article/detail/4200.html 2023-04-23
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由于噪声不是单一频率的量,通常噪声都是多个频率分量的叠加,所以一般手册上不会给出噪声的具体数值,一般会给出在频谱上的噪声密度的值,电压噪声单位nv/sqrt(Hz),电流噪声单位pA/sqrt(Hz)。
www.kiaic.com/article/detail/4199.html 2023-04-23
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差模噪声产生在电源线之间,是噪声源对于电源线串联进入,噪声电流与电源电流方向相同。由于往返方向相反而被称为“差模(Differential mode)”。
www.kiaic.com/article/detail/4198.html 2023-04-21
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有源器件的输入等效噪声是一个虚构的量,它不能在电路的输入端实际测量到,它只是在输出端测量到的噪声除以电路增益,而等效到输入端,目的是便于比较不同电路的噪声特性。
www.kiaic.com/article/detail/4197.html 2023-04-21
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这张图展示的是1kHz以上的高频噪声,左图是实际采集到的噪声信号,右图是时域上电压幅值的统计分布。这种噪声看着很眼熟,当我们短接示波器探头的两极时出现的就是类似的噪声。
www.kiaic.com/article/detail/4196.html 2023-04-21