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MOS管静电击穿：电压型、功率型分析-KIA MOS管
静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。www.kiaic.com/article/detail/4181.html 2023-04-13
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【电路分享】VMOS管电子镇流器电路图-KIA MOS管
电阻R1，电容C2，双向二极管D2构成锯齿波发生器，接通 电源 后，C2经R1充电，当C2的电压达到D2的击穿电压时，尖电流脉冲加到BG2的栅极，由于变压器的耦合作用，电路开始振荡，其振荡频率由L1，C4决定，此时，锯齿波发生器停止工作，C2经D1，BG1放电。www.kiaic.com/article/detail/4180.html 2023-04-12
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NMOS管、PMOS防止电源反接电路-KIA MOS管
电源反接，会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避兔的。所以就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源，也不会损坏的目的。www.kiaic.com/article/detail/4179.html 2023-04-12
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图文分析：Layout中的MOS管电容-KIA MOS管
当Gate的电压是一个负值时，在靠近衬底的氧化层面，会吸引空穴，这时候的NMOS管工作在积累区，形成了以Gate和空穴为极板，氧化层为介质的电容。www.kiaic.com/article/detail/4178.html 2023-04-12
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无刷电机选型40V80A KNX3404C TO-252 送样-KIA MOS管
KNX3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可靠性。www.kiaic.com/article/detail/4177.html 2023-04-11
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MOS管栅极下拉电阻的阻值选取-KIA MOS管
为了稳定性，我们一般会在MOS管的栅极加个下拉电阻，在上电的时候把栅极拉低，不让MOS管导通。不过，这个下拉电阻阻值的选择是很关键的。www.kiaic.com/article/detail/4176.html 2023-04-11
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【MOS管结构】MOS管导电沟道的形成-KIA MOS管
NMOS管内部结构图如下，导电沟道未形成前，漏极和源极之间有一反向PN结，在Ugs=0时，漏极和源极之间无电流（PN结击穿情况等不考虑）。www.kiaic.com/article/detail/4175.html 2023-04-11
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【精选图文】MOS管开关电路实例分享-KIA MOS管
栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件，因此灯负载要么“打开”，（V GS = +ve），要么处于将器件“关闭”的零电压电平，（V GS = 0V）。www.kiaic.com/article/detail/4174.html 2023-04-10
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MOS管理想的开关特性、实用开关特性-KIA MOS管
对于像mos管这样的半导体器件，要充当理想的开关，它必须具有以下特性：在 ON 状态下，它可以承载的电流量不应有任何限制。www.kiaic.com/article/detail/4173.html 2023-04-10
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MOS管各种泄漏电流的原因分析-KIA MOS管
MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致氧化层厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，泄漏电流变得很大，并有助于功耗。www.kiaic.com/article/detail/4172.html 2023-04-10
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【图文分享】MOSFET的截止频率计算-KIA MOS管
在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(fT)截止频率www.kiaic.com/article/detail/4171.html 2023-04-07
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电机PWM驱动--MOSFET寄生二极管功耗-KIA MOS管
当通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时，其功耗应该是寄生二极管的正向电压×电机电流。然而实际上，有时功耗可能会大于这个计算值。www.kiaic.com/article/detail/4170.html 2023-04-07
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图文详解MOSFET的开关及其温度特性-KIA MOS管
栅极电压ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类，一般而言，规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。www.kiaic.com/article/detail/4169.html 2023-04-07
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MOSFET的寄生电容 静电容量分析-KIA MOS管
在构造上，功率MOSFET都存在寄生电容。MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧化层绝缘，在DS(漏极、源极)间形成PN接合，成为内置二极管构造。其中，Cgs、Cgd的容量根据氧化膜的静电容量决定，Cds根据内置二极管的接合容量决定。www.kiaic.com/article/detail/4168.html 2023-04-06