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BUCK电路同步整流和异步整流分析-KIA MOS管
由上图可以看出，同步整流和异步整流的区别就是MOS管代替了二极管。二极管因为有大约0.4V的压降，假设异步整流通过大电流的话，会产生较大的损耗。而MOS管的内阻一般为毫欧级别，同步整流会比异步整流损耗小的多,因此同步整流转换效率也会比异步整流高。www.kiaic.com/article/detail/4084.html 2023-02-24
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BUCK同步整流SW点负压产生及解决-KIA MOS管
负压产生的原因：当上管关断下管导通的过程中，由于输出电感电流不能突变的特性 ，上管电流减小，下管电流增加，下管回路的寄生电感会感应出下正上负的电压，下为0，所以上也就是开关节点为负压。注意这里，下管没驱动的时候，走体二极管。www.kiaic.com/article/detail/4083.html 2023-02-24
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启动电流详解及如何测试启动电流？-KIA MOS管
启动电流是指电器设备（感性负载）在刚启动时的冲击电流，是电机或感性负载通电瞬间到运行平稳的短暂时间内的电流变化量，这个电流一般是额定电流的4-7倍，国家规定，为了线路的运行安全及其它电气设备的正常运行，大功率的发动机必须加装启动设备，以降低启动...www.kiaic.com/article/detail/4082.html 2023-02-24
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【MOSFET应用】LLC电路中的MOSFET-KIA MOS管
上面的图给出了启动时功率MOSFET前五个开关波形。在变换器启动开始前，谐振电容和输出电容刚好完全放电。与正常工作状况相比，在启动过程中，这些空电容会使低端开关Q2的体二极管深度导通。www.kiaic.com/article/detail/4081.html 2023-02-23
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【经验分享】模拟设计中堆叠MOSFET-KIA MOS管
堆叠MOSFET在现代模拟设计中非常常见，但并不是没有问题。其主要问题是电容增加以及面积更大。电容增加很大程度上是由于器件周围的互连增加。总栅极面积和总栅极电容与非堆叠等效电路相似，但在互连线上有额外的寄生电容。www.kiaic.com/article/detail/4080.html 2023-02-23
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详解运放失调电压的影响及应对-KIA MOS管
在理想运算放大器的情况下，当输入电压 (V i ) 为 0 V时，V IN(+)和 V IN(-)端子的直流电压完全匹配。 然而，实际上存在以下差异V IN(+)和 V IN(-)端子之间的输入阻抗和输入偏置电流，导致它们的电压略有不同。www.kiaic.com/article/detail/4079.html 2023-02-23
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单相全桥PWM整流电路、原理图文分享-KIA MOS管
图给出了单相PWM整流电路的原理框图。在UPS中，图中的负载即为逆变器和蓄电池。同SPWM逆变电路控制输出电压相类似，可在PWM整流电路的交流输入端AB之间产生一个正弦波调制PWM波uAB，uAB中除了含有与电源同频率的基波分量外，还含有与开关频率有关的高次谐波。www.kiaic.com/article/detail/4078.html 2023-02-22
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单相桥式整流电路图、工作原理分析-KIA MOS管
上图（a）所示为单相桥式整流电路中的电流方向，其中实线箭头表示交流电源处于正半周时的情况，虚线箭头则为交流电源处于正半周时的情况。www.kiaic.com/article/detail/4077.html 2023-02-22
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桥式整流电路输出电容容值计算实例-KIA MOS管
下面的电路是一个桥式整流电路，在 60Hz 时输入电压为120V，负载电流为 2A，纹波电压要求为 43V（峰峰值），我们需要做的是评估一下所需C1的最小电容值。www.kiaic.com/article/detail/4076.html 2023-02-22
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技术分享：两种基本电流检测电路-KIA MOS管
使用电流检测电阻采样电流，是测量电流的首选技术。测量电流的最简单方法是使用分流电阻器（最左侧），通过该电阻器产生的电压与流过它的电流成正比。运放会放大分流电阻器上的低电压，以便使采集到的电压在 ADC 的整个测量范围。www.kiaic.com/article/detail/4075.html 2023-02-21
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【经典电路】电池供电电路设计实例-KIA MOS管
硬开关电路是将2节7号电池的串联电压通过DC/DC转换器MAX756转换成3.3 V的电压，电路图如图1所示。如果不经升压电路而直接由电池供电，那么因电池端产生的电压存在一个由高到低的下降过程。www.kiaic.com/article/detail/4074.html 2023-02-21
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超级结MOSFET开关速度、导通损耗解决-KIA MOS管
超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件而开发的，该技术已用于改善导通电阻与击穿电压之间的制衡。采用超级结技术有助于降低导通电阻并提高MOSFET的开关速度。www.kiaic.com/article/detail/4073.html 2023-02-21
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【图文详解】MOS管的栅极电阻-KIA MOS管
MOS管也可以没有栅极电阻的情况下工作，但添加一个栅极电阻可以防止一些潜在的问题。一般为1000 Ω就可以。请参阅下面的电路图，用于连接 MOSFET 栅极电阻器（下拉电阻器是可选的）www.kiaic.com/article/detail/4072.html 2023-02-20
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PFC电路分类与作用 PFC电路工作原理-KIA MOS管
被动式PFC一般分“电感补偿式”和“填谷电路式（ValleyFillCircuit）”“电感补偿方法”是使交流输入的基波电流与电压之间相位差减小来提高功率因数，被动式PFC包括静音式被动PFC和非静音式被动PFC。www.kiaic.com/article/detail/4071.html 2023-02-20