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高端驱动电路--MOS管调压电路-KIA MOS管
当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate.上的电压只有4.3V。这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。www.kiaic.com/article/detail/4070.html 2023-02-20
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【图文分析】输入电容器和输出电容器-KIA MOS管
框中的上方ICO为输出电容器、下方ICIN为输入电容器的电流波形。输入电容器可从VIN充电，当晶体管Q1为ON时会放出开关电流IDD。比较大的电流会急剧反复流动。输出电容器以输出电压为中心反复与输出纹波电压连动进行充放电工作。www.kiaic.com/article/detail/4069.html 2023-02-17
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电容器纹波电流如何计算？详解-KIA MOS管
在理想情况下，当电容器安装在直流电压电源上时，根据电容隔直通交的特性，没有电流会流向电容器。但是，如果电容两端的实际电压不是单纯的直流电压时，比如电压有微小的波动，此时电容就会发生充放电，就会产生纹波电流。www.kiaic.com/article/detail/4068.html 2023-02-17
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BUCK电路中电感值的计算分享-KIA MOS管
电流纹波率：?I/IL=?I/Io,因为?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I变小或者接近于零，需要电感磁芯的处理能力大于等于电感储存的能量，磁芯体积与处理能力成正比，与磁芯材质也有关系。www.kiaic.com/article/detail/4067.html 2023-02-17
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【电路精选】电容容值计算方法-KIA MOS管
输入滤波电容C上的波形如上图中的红线所示，当然这是理想情况下的波形，即忽略了整流二极管的内阻。ΔV为电压纹波大小，它根据负载的要求而定义。www.kiaic.com/article/detail/4066.html 2023-02-16
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双极性方法驱动栅极驱动器图文-KIA MOS管
一个具有理想电压源的原理图如图2所示。在这个示例中，驱动器IC的供电电压等于V1、V2之和，而MOSFET的栅极驱动电压为导通状态下的+V1和关断状态下的–V2（相对于MOSFET的源极节点）。www.kiaic.com/article/detail/4065.html 2023-02-16
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隔离式栅极驱动器的四个特性解析-KIA MOS管
在开关期间，晶体管会处于同时施加了高电压和高电流的状态。根据欧姆定律，这将导致一定的损耗，具体取决于这些状态的持续时间（参见图2）。目标是要较大程度地减小这些时间段。此处的主要影响因素是晶体管的栅极电容，为实现开关必须对其进行充电/放电。较高的...www.kiaic.com/article/detail/4064.html 2023-02-16
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MOSFET和IGBT的选型要点、应用分析-KIA MOS管
MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上的固态半导体器件，且都属于电压控制器件。另外，IGBT和MOSFET在栅极和其他端子之间都有绝缘，两种器件全部具有较高的输入阻抗。在应用中，IGBT和MOSFET都可以用作静态电子开关。www.kiaic.com/article/detail/4063.html 2023-02-15
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MOSFET、IGBT绝缘栅极隔离驱动技术-KIA MOS管
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。www.kiaic.com/article/detail/4062.html 2023-02-15
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隔离式栅极驱动器图文分析-KIA MOS管
IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成非线性电容器。对栅极电容充电会使功率器件导通并允许电流在其漏极和源极端子之间流动，而放电时，它会关闭器件，然后可能会在漏极和源极端子上阻塞大电压。www.kiaic.com/article/detail/4061.html 2023-02-15
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【MOS管应用】原边振铃控制分享-KIA MOS管
在反激电路中，一旦 MOSFET 管关断，变压器就会将原边的能量传输到副边，但漏感能量却无法被转移，这会导致电路中的杂散电容产生振铃。漏感是产生振铃的根本原因，它占总电感量的 1% 至 5%，但却无法完全消除。不过，我们可以通过特殊的绕线方法来降低漏感。www.kiaic.com/article/detail/4060.html 2023-02-14
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解决开关电路振铃现象：缓冲器设计-KIA MOS管
上面的原理图是同步降压转换器的简化图。所有寄生电感都集中在一起，显示为Lckt。如上所述，它们包括走线电感和封装电感。与Lck成环的寄生电容主要来自处于关断状态的低端场效应晶体管的输出电容Coss。www.kiaic.com/article/detail/4059.html 2023-02-14
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【图文分析】DCDC电源负载瞬态测试-KIA MOS管
下图是某DCDC转换器负载瞬态测试的典型波形，CH3为输出电压的AC分量，CH4为负载电流。注意到负载电流上升斜率与下降斜率并不相同，较缓的上升斜率对应较小的电压跌落（Undershoot），而陡峭的下降斜率则对应较大的电压过冲（Overshoot）。www.kiaic.com/article/detail/4058.html 2023-02-14
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详解推挽变换器漏感电压尖峰-KIA MOS管
通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是电流而是电压，这正是由于推挽变换器漏感所致。这就迫使设计师不得不降低变压器漏感，选用更高耐压功率管，甚至加入各种吸收电路来满足设计要求，但是却发现都不能从根本上解决问题。www.kiaic.com/article/detail/4057.html 2023-02-13