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MOSFET导通状态漏源电阻图文解析-KIA MOS管
MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻，缩写为R DS （on）。这个R DS （on）的想法看起来非常简单：当FET截止时，源极和漏极之间的电阻非常高 - 我们假设零电流流动。www.kiaic.com/article/detail/3270.html 2021-12-28
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一文看懂MOSFET数据表--开关参数-KIA MOS管
图1显示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷和反向恢复电荷，这代表了一个事物的两个方面。在左侧，Qrr在360A/µs时测得的值为85nC，在右边，2000A/µs时测得的值为146nC。www.kiaic.com/article/detail/3269.html 2021-12-28
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MOSFET雪崩击穿额定值理论分析-KIA MOS管
所有半导体器件都具有一定的最大反向电压额定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此阈值的操作将导致反向偏置 pn 结中的高电场。由于碰撞电离，高电场会产生电子-空穴对，这些电子-空穴对会产生倍增效应，从而导致电流增加。流过器件的反向电流会导致高功耗、相...www.kiaic.com/article/detail/3267.html 2021-12-28
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具有迟滞功能的欠压和过压闭锁电路-KIA MOS管
如果电源电压上升缓慢并且有噪声，或者如果电源本身具有电阻（如电池中的电阻），导致电压随负载电流下降，那么当比较器输入超过其UVLO阈值时，比较器的输出将在高电平和低电平之间反复切换。www.kiaic.com/article/detail/3266.html 2021-12-27
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关于无刷直流电机加速设计周期方法分析-KIA MOS管
无需编程的电机驱动器包括内置的控制换向算法，因此无需进行电机控制软件的开发、维护和认证。这些电机驱动器通常从电机获取反馈（例如霍尔信号或电机相位电压和电流信号），实时计算复杂的控制方程以确定下一个电机驱动状态，并为栅极驱动器或金属氧化物半导体...www.kiaic.com/article/detail/3265.html 2021-12-27
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【图解】使用运算放大器和MOSFET构建电流负载-KIA MOS管
测试电源和电池需要电流负载，该电流负载能够吸收大电流并消耗大量功率。只需使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建一个简单而准确的电流负载，如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/3264.html 2021-12-27
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KNX3406A TO252/60V80A参数资料 免费送样-KIA MOS管
KNX3406A TO252/60V80A产品特征RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V提供无铅和绿色设备低无线电数据系统开启，以减少传导损耗高雪崩电流www.kiaic.com/article/detail/3263.html 2021-12-24
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【图文】反相器的电路结构和工作原理-KIA MOS管
设 VCC=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2VPN结的导通压降VON=0.7VA点:输入为0，T1管be结正偏，bc结正偏，T1处于饱和状态，c1压降很低，T2管的基极与c1接在一起，所以T2管、T5管都截止，T4管导通，Y输出高电平，VOH=VCC-VR2-VBE4-VD2=3.4Vwww.kiaic.com/article/detail/3262.html 2021-12-24
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CMOS反相器电路组成图文解析-KIA MOS管
（1）工作原理 ①输入低电平 Ui=0 时 VN截止， VP导通 Uo≈VDD ②输入高电平， UI = +UDD VN导通， Vp截止 Uo≈0vwww.kiaic.com/article/detail/3261.html 2021-12-24
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自激式开关电源特点、工作方式分析-KIA MOS管
自激式开关电源中的开关管起着开关及振荡的双重作从，也省去了控制电路。电路中由于负载位于变压器的次级且工作在反激状态，具有输入和输出相互隔离的优点。这种电路不仅适用于大功率电源，亦适用于小功率电源。www.kiaic.com/article/detail/3260.html 2021-12-23
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漏电流产生原因及设备漏电流如何解决？-KIA MOS管
漏电流是PN结在电压反偏置时通过二极管的电流。发光二极管通常都工作在正向导通状态下，漏电流指标没有多大意义。主要是对于整流管二极管、开关管二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管等元件，漏电流这项指标比较重要，因为它们在工作中经常会处在电压反偏置状...www.kiaic.com/article/detail/3259.html 2021-12-23
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浅析D类MOS管射频功放应用-KIA MOS管
在大功率全固态广播发射机的射频功率放大器中，利用MOS管的开关特性，可使整个射频功率放大器工作在开关状态，从而提高整机效率，改善技术性能，同时使发射机的射频功率放大器处于低电压范围，有利于设备的稳定运行。www.kiaic.com/article/detail/3258.html 2021-12-23
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【实例分析】晶体管温度补偿电路-KIA MOS管
晶体管的主要参数，如电流放大倍数、基极-发射极电压、集电极电流等，都与环境温度密切相关。因此，在晶体管电路中需要采取必要的温度补偿措施，才能获得较高的稳定性和较宽的使用环境温度范围。www.kiaic.com/article/detail/3257.html 2021-12-22
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二极管温度补偿电路原理及故障处理-KIA MOS管
PN结导通后有一个约为0.6V（指硅材料PN结）的压降，同时PN结还有一个与温度相关的特性：PN结导通后的压降基本不变，但不是不变，PN结两端的压降随温度升高而略有下降，温度愈高其下降的量愈多，当然PN结两端电压下降量的绝对值对于0.6V而言相当小，利用这一特性...www.kiaic.com/article/detail/3256.html 2021-12-22