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图腾柱电路工作原理及注意事项详解-KIA MOS管
图腾柱就是上下各一个晶体管，上管为NPN，c极接正电源，下管为PNP，e极接负电源，注意，是负电源，是地。两个b极接到一起，接输入，上管的e和下管的c接到一起，接输出。www.kiaic.com/article/detail/3298.html 2022-01-12
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【电子知识】电容啸叫原因图文分享-KIA MOS管
减小电容的ESR及ESL，可以有效的减小电源上的纹波及噪音，此外电源模块的小型化也是趋势，所以片式多层陶瓷电容MLCC(Multi Layer Ceramic Capacitor)越来越多地被用于输出电容。但是，使用MLCC电容会产生一个新的问题，它的结构会导致啸叫。www.kiaic.com/article/detail/3297.html 2022-01-11
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单片机复位电路可靠性设计及实用复位电路-KIA MOS管
射频干扰，它是以空间电磁场的形式传递 在机器内部的导体（引线或零件引脚）感生出相应的干扰，可通过电磁屏蔽和合理的布线/器件布局衰减该类干扰；电源线或电源内部产生的干扰，它是通过电源线或电源内的部件耦合或直接传导，可通过电源滤波、隔离等措施来衰减...www.kiaic.com/article/detail/3296.html 2022-01-11
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四个锂电池供电电路设计方案详图-KIA MOS管
图1中4脚为电源输入引脚，8脚为使能引脚，高电平有效（因此直接接到电源）;7脚和6脚，功能分别为充电状态指示和充电完成指示，这两个引脚内部结构均为漏极开漏输出，当它们导通时，对应连接的LED就会通过引脚内部的MOS管形成通路，使LED点亮。www.kiaic.com/article/detail/3295.html 2022-01-11
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详细供电电路切换与锂电池充电电路设计-KIA MOS管
由于锂电池的充电特性。充电过程一般分为三个过程： 1、涓流充电阶段（在电池过渡放电，电压偏低的状态下） 锂电池一般在过渡放电之后，电压会下降到3.0V以下。锂电池内部的介质会发生一些物理变化，致使充电特性变坏，容量降低等。www.kiaic.com/article/detail/3294.html 2022-01-10
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【收藏】好用的电池供电切换电路-KIA MOS管
特点：1、支持轻触开关、自锁开关2、支持外接电源自动上电（焊接上D17即可实现）3、支持待机常电输出4、外接电源、锂电供电自动切换，由于PMOS内续流二极管的存在，切换过程不会出现电压跌落情况。5、通过双PMOS背靠背连接，防止外接电源倒灌至锂电池。www.kiaic.com/article/detail/3293.html 2022-01-10
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详细分析两个PMOS背靠背用法|图文-KIA MOS管
电路描述： Q3是三极管，Q1和Q2是PMOS管，左右两边的+12V是输入，VIN是输出，用来给模块供电，PHONE_POWER是控制信号。www.kiaic.com/article/detail/3292.html 2022-01-10
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MOS管详解-NMOS和PMOS导通电流流向-KIA MOS管
一般常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。www.kiaic.com/article/detail/3291.html 2022-01-07
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直流电机正反转控制电路详细图文-KIA MOS管
电路图分为三部分，整流电路主电路和控制电路。整流电路我们要根据电机选择合适的整流变压器，直接单相电输入直流电输出。www.kiaic.com/article/detail/3290.html 2022-01-07
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【详解】晶体管与MOS管的并联理论-KIA MOS管
晶体管与MOS管并联理论：(1)、晶体管具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。www.kiaic.com/article/detail/3289.html 2022-01-07
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MOS管版图-多级CMOS版图分析【收藏】-KIA MOS管
多级CMOS版图中，必有漏极（前级输出）和栅极（后级输入）相连，所以要先找到两级间相连的部分。然后从已知的栅极开始，逐级分析。每一级的PUN和PDN一般靠的较近，如下图，很容易区分。www.kiaic.com/article/detail/3288.html 2022-01-06
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【图文】单级CMOS版图分析-KIA MOS管
绘制NMOS管的步骤与PMOS管基本相同(新建一个名为NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做在P型衬底上,要有一个N型注入层,这一层要覆盖整个有源区。www.kiaic.com/article/detail/3287.html 2022-01-06
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MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管
P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）；www.kiaic.com/article/detail/3286.html 2022-01-06
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MOS管60V150A KIA2806A原厂现货 免费送样-KIA MOS管
RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V100%雪崩测试可靠、坚固耐用无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）www.kiaic.com/article/detail/3285.html 2022-01-05