返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5143 个

  • 小尺寸MOSFET:MOS管在小尺寸下的效应分析-KIA MOS管

    MOS管小尺寸下的效应分析MOS管在小尺寸下的效应,主要是小尺寸下的高电场(包括垂直和水平电场)引起的问题,包括迁移率退化,热载流子以及 DIBL 等问题。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2975.html         2021-08-09

  • 开关电源“元器件”电压应力计算分析-KIA MOS管

    开关电源原理简图下图是开关电源的原理简图,以反激为例。设定一下主要参数如下:输入电压:Vin=AC176-264V输出电压:Vout=12VVcc电压:Vcc=15V变压器匝比:N

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2974.html         2021-08-09

  • RCD尖峰脉冲吸收电容器容量的计算-KIA MOS管

    计算尖峰脉冲吸收电容器容量,首先要计算流过变压器初级线圈电流的最大值。计算流过变压器初级线圈的最大电流Im可根据开关电源的最大输入功率Pm来估算。电流Im可根据开关电源的最大输入功率Pm来估算。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2973.html         2021-08-06

  • 互补晶体管组成的多谐振荡电路分析-KIA MOS管

    多谐振荡器:利用深度正反馈,通过阻容耦合使两个电子器件交替导通与截止,从而自激产生方波输出的振荡器。常用作方波发生器。多谐振荡器是一种能产生矩形波的自激振荡器,也称矩形波发生器。在接通电源后,不需要外加脉冲就能自动产生矩形脉冲。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2972.html         2021-08-06

  • MOS管低功耗双稳态电路图文分享-KIA MOS管

    双稳态电路是我们经常用于作为单键控制负载开关电路。本文介绍一个由两个MOS管构成的低功耗双稳态电路。假设Q1的G极输入是高电平,Q1导通,输出低电平,低电平接到Q2的G极,Q2截止,Q2输出高电平,所以Q3也截止,LED灯灭。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2971.html         2021-08-06

  • ​MOS管KNX3108A 80V110A参数资料 原厂免费送样-KIA MOS管

    MOS管KNX3108A 80V110A-特征RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V提供无铅环保设备低RD-ON可将传导损耗降至最低大雪崩电流

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2970.html         2021-08-05

  • MOS管死区时间的分析、设置图文详解-KIA MOS管

    出现死区的主要原因是因为MOS管的源极和栅极之间的结电容。现在在栅极加上一个门电路。当门电路输出的信号跳变的瞬间,电流是非常大的,会导致MOS管发热,所以需要在门电路后面再串联一个电阻,这个电阻很小,一般在10Ω左右。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2969.html         2021-08-05

  • 超详细|锂电池过充电、过放、短路保护电路-KIA MOS管

    该电路主要由锂电池保护专用集成电路DW01,充、放电控制MOSFET1(内含两只N沟道MOSFET)等部分组成,单体锂电池接在B+和B-之间,电池组从P+和P-输出电压。充电时,充电器输出电压接在P+和P-之间,电流从P+到单体电池的B+和B-,再经过充电控制MOSFET到P-。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2968.html         2021-08-05

  • 低内阻MOS管 ​KIA3506A 60V70A 原厂专业制造 型号齐全-KIA MOS管

    低内阻MOS管 KIA3506A 60V70A产品特征VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V专为电动自行车控制器应用而设计超低电阻高UIS和UIS 100%测试

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2967.html         2021-08-04

  • 常见的MOS管封装失效原因分析-KIA MOS管

    MOS管封装失效原因封装,顾名思义是将集成电路包封起来,达到与外加隔离的目的。在工程师的日常工作当中,时不时会遇到一些MOS管封装失效,本文总结了一些失效的案例,仅供参考。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2966.html         2021-08-04

  • 二极管为什么具有单向导电特性?-KIA MOS管

    二极管是电子电路中很常用的元器件,非常常见,二极管具有正向导通,反向截止的特性。在二极管的正向端(正极)加正电压,负向端(负极)加负电压,二极管导通,有电流流过二极管。在二极管的正向端(正极)加负电压,负向端(负极)加正电压,二极管截止,没有...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2965.html         2021-08-04

  • 常用小功率 低压MOS管 KIA8606A 60V35A​参数 原厂专业制造-KIA MOS管

    常用小功率 低压MOS管 KIA8606A-描述KIA8606A是高密度沟槽N型MOSFETS,具有优良的RDSON性能。和栅极充电为大多数同步降压转换器的应用。KIA8606满足RoHS标准和绿色产品要求,100%的安全评价保证充分的功能可靠性。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2964.html         2021-08-03

  • 晶体二极管开关转换过程图文详解-KIA MOS管

    在数字电子技术门电路中,在脉冲信号的作用下,二极管时而导通,时而截止,相当于开关的“接通”和“关断”。二极管由截止到开通所用的时间称为开通时间,由开通到截止所用的时间称为关断时间。研究其开关特性,就是分析导通和截止转换快慢的问题,当脉冲信号频...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2963.html         2021-08-03

  • 整流二极管尖峰吸收电路的设计对比|必看-KIA MOS管

    关于Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题,在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC吸收效果更好,用RCD吸收,其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配,可以完全吸收,几乎看不到尖峰电压),而且吸收损耗也更小。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2962.html         2021-08-03

Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号